KIA12N60H產(chǎn)品描述

KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

2、特征

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低柵極電荷（典型的52nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

3、產(chǎn)品參數(shù)

漏極至源極電壓（VDSS）：600

柵源電壓（VGSS）：±30

漏極電流（連續(xù)）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功率（PD）：231

工作溫度：±150

擊穿電壓溫度：0.7

輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升時間：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H產(chǎn)品規(guī)格

	KIA12N50（12A 60V）
產(chǎn)品編號	KIA12N60/F/HF/HP
產(chǎn)品工藝	kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
封裝形式	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA 原廠家
網(wǎng)址	m.52yitang.com
PDF總頁數(shù)	總7頁