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6N65供應商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下載-KIA官網

信息來源:本站 日期:2018-01-26 

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6N65參數

KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。


特點

RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


產品型號:KIA6N65HD

工作方式:5.5A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:5.5*A

脈沖漏極電流:16.0A

雪崩能量:300mJ

耗散功率:80W

熱電阻:50*(110)℃/W

漏源擊穿電壓:650V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:620 PF

輸出電容:65 PF

上升時間:45 ns

封裝形式:TO-252


KIA6N65(5.5A/650V)
產品編號 KIA6N65/HD
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
產品特征

RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關轉換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
封裝形式 TO-252
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廠家 KIA 原廠家
網址 m.52yitang.com
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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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