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KIA20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF文件 20A500V參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-09 

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KIA20N50參數指標

KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。



KIA20N50特征

RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的70nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


KIA20N50參數

產品型號:KIA20N50

工作方式:20A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:13A

脈沖漏極電流:80A

雪崩能量:110mJ

耗散功率:41.5W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:500V

溫度系數:0.5V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:2700 PF

輸出電容:400 PF

上升時間:400 ns

封裝形式:TO-247、TO-220F、TO-3P



KIA20N50/HF/HH/HM
產品編號 KIA20N50(20A 500V)
FET極性 N溝道MOSFET
產品特征

RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的70nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。
封裝形式 TO-220F、TO-247、TO-3P
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廠家 KIA原廠家
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