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20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF 20N50參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-19 

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1、20N50型號描述

KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。


2、20N50產品參數

產品型號:KIA 20N50

漏極至源極電壓(VDSS):500V

柵源電壓(VGSS):±30V

漏極電流 (連續)(lD):20A

耗散功率(PD):41W/0.33W/℃

工作溫度:+150/℃

擊穿電壓溫度:0.5V/℃

輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升時間:VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω

封裝形式:TO-220F、TO-247、TO-3P


3、20N50產品特征

RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


4、20N50產品規格


20N50(20A 500V)
產品編號 KIA20N50/C/HF/HH/HM
產品工藝 kia20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。
溝道 N溝道MOSFET
特征

RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正
封裝形式 TO-220F、TO-247、TO-3P
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廠家 KIA 原廠家
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網址 m.52yitang.com
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