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10N80現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下載 -KIA官網(wǎng)

信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-03 

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KIA10N80參數(shù)

功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)越的開關(guān)。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設(shè)備非常適合于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正的基礎(chǔ)上半橋拓?fù)?/span>



KIA10N80特點(diǎn)

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低柵極電荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力

ESD能力提高


產(chǎn)品型號(hào):KIA10N80

工作方式:10A/800V

漏源電壓:800V

柵源電壓:±25V

漏電流連續(xù):10A

脈沖漏極電流:40A

雪崩能量:350mJ

耗散功率:42W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:800V

溫度系數(shù):0.8V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:2230 PF

輸出電容:135 PF

上升時(shí)間:35 ns

封裝形式:TO-220F、TO-3P



KIA10N80(10N80
產(chǎn)品編號(hào) KIA10N80/HF/HH
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)越的開關(guān)。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低柵極電荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力

ESD能力提高

適用范圍 主要合于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正的基礎(chǔ)上半橋拓?fù)?/span>
封裝形式 TO-220F、TO-3P
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 m.52yitang.com
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