KIA8606參數(shù)指標(biāo)

8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求，100%個功能齊全的可靠性認(rèn)證。

KIA8606特征

超低柵電荷

100% EAS保證

優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)DES線

綠色的可用設(shè)備

先進的高密度溝槽技術(shù)

KIA8606參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA8606

工作方式：35A/60V

漏源電壓：60V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：35A

脈沖漏極電流：80A

雪崩電流：28A

雪崩能量：39.2A

耗散功率：45W

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：60V

溫度系數(shù)：0.057V

柵極閾值電壓：1.2V

輸入電容：2423 PF

輸出電容：145 PF

上升時間：50ns

封裝形式：TO-251

	KIA8606
產(chǎn)品編號	KIA8606（35A 60V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求，100%個功能齊全的可靠性認(rèn)證。
產(chǎn)品特征	超低柵電荷 100% EAS保證優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)DES線綠色的可用設(shè)備先進的高密度溝槽技術(shù)
封裝形式	TO-251
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.52yitang.com
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