18N50現貨供應商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下載 -KIA官網
信息來源：本站 日期：2018-02-02
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
KIA18N50特征
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
產品型號：KIA18N50
工作方式：18A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：18.0*A
脈沖漏極電流：72A
雪崩能量：990mJ
耗散功率：38.2W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2500 PF
輸出電容：400 PF
上升時間：190 ns
封裝形式：TO-220F、TO-247
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KIA18N50（18A 500V） |
| 產品編號 | KIA18N50/HF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖 |
| 產品特征 |
RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dv / dt的能力 |
| 適用范圍 |
產品主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.kiaic.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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