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6N70原廠供應商 KIA6N70 PDF下載 6N70參數配置對比-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-26 

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KIA6N70參數

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。


特征

RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


產品型號:KIA6N70

工作方式:5.8A/700V

漏源電壓:700V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:5.8*A

脈沖漏極電流:150mJ

雪崩能量:4.8A

耗散功率:95W

熱電阻:110℃/W

漏源擊穿電壓:700V

溫度系數:0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:650 PF

輸出電容:95 PF

上升時間:40 ns

封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220F


KIA6N70(5.8A 700V
產品編號 KIA6N70/HD/HF/HU/SU
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
產品特征

RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
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