廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)...廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、...
KIA7N80場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩(wěn)定性，7n80漏...KIA7N80場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩(wěn)定性，7n80漏極電流7A，漏源擊穿電壓800V，RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，柵極電荷低，僅為27nC，快...
KIA3N80H場(chǎng)效應(yīng)管性能優(yōu)越，漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達(dá)800V，表現(xiàn)出強(qiáng)大的功...KIA3N80H場(chǎng)效應(yīng)管性能優(yōu)越，漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達(dá)800V，表現(xiàn)出強(qiáng)大的功率承受能力；在開啟狀態(tài)下，靜態(tài)電阻RDS為4.8?，在柵極電壓為10V時(shí)具有穩(wěn)定的電氣...
KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為...KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時(shí)表現(xiàn)出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現(xiàn)穩(wěn)定、快速切...
KND3504A場(chǎng)效應(yīng)管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術(shù)，漏極電流70A，漏源擊穿電壓...KND3504A場(chǎng)效應(yīng)管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術(shù)，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導(dǎo)通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設(shè)...
KNH3730A場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，采用專有新型平面技術(shù)，具有50A的漏極...KNH3730A場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，采用專有新型平面技術(shù)，具有50A的漏極電流和300V的漏源擊穿電壓，RDS（ON）在VGS=10V時(shí)僅為70mΩ（典型值），能夠?qū)崿F(xiàn)低柵...
