KIA6035A場(chǎng)效應(yīng)管的漏源擊穿電壓高達(dá)350V，漏極電流可達(dá)11A，適用于各種高壓應(yīng)...KIA6035A場(chǎng)效應(yīng)管的漏源擊穿電壓高達(dá)350V，漏極電流可達(dá)11A，適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)合，RDS（ON）僅為0.38Ω，在10V的VGS下表現(xiàn)出色、低柵極電荷，僅為15nC，有助于...
KNX4820B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術(shù)，是一...KNX4820B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術(shù)，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保證了穩(wěn)定的工作狀態(tài)、低柵極電...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-100A 漏源擊穿電壓 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-100A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-40V 柵極電荷（Qg）：115 nC 功耗 (PDM) ：83W
P30v MOS,KPE4403A參數(shù)引腳圖 漏極電流 (ID) ：-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A參數(shù)引腳圖 漏極電流 (ID) ：-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-30V 柵極電荷（Qg）：6.5 nC 功耗 (PDM) ：1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) ：-30A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-60V 功耗 (PDM) ：57W 柵極電...
KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，漏源擊穿電壓...KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，漏源擊穿電壓高達(dá)650V，漏極電流7A，能夠承受較大的電壓壓力、良好的導(dǎo)電性能，RDS（ON）的典型...
