12n65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換,12n65場(chǎng)效應(yīng)管引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-15
KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時(shí)表現(xiàn)出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現(xiàn)穩(wěn)定、快速切換能力在電路中能夠迅速響應(yīng)信號(hào)變化，確保信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性、雪崩能量規(guī)定和改進(jìn)的dv/dt能力增強(qiáng)了穩(wěn)定性及安全性，保障電路運(yùn)行的穩(wěn)定性。
KIA12N65H封裝形式：TO-220F，適用于開關(guān)電源和LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，使其在各種應(yīng)用中都能夠發(fā)揮出色的效果。KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管不僅在性能上有著出色的表現(xiàn)，同時(shí)在穩(wěn)定性和安全性方面也具備了極高的標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足各種復(fù)雜電路的需求。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：12.0*A
脈沖漏極電流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
上升時(shí)間：90 ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109
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