KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性；超低柵極電荷，減小開...
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，T...碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，TJ為25°C時達(dá)到典型值，具有低導(dǎo)通電阻和高阻斷電壓的特點(diǎn)；在低電容條件下能實(shí)現(xiàn)高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃條件下，在高電壓下能夠擁有較低的導(dǎo)通電阻，同時表現(xiàn)出優(yōu)異的...
KPE4703A場效應(yīng)管漏極電流-8A，漏源擊穿電壓-30V，具有優(yōu)異的性能表現(xiàn)；導(dǎo)通電...KPE4703A場效應(yīng)管漏極電流-8A，漏源擊穿電壓-30V，具有優(yōu)異的性能表現(xiàn)；導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為19mΩ，在柵極電壓為10V時；超低的柵極電荷，能夠有效降低電路中的開關(guān)...
KIA9N90場效應(yīng)管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的電流承受能力和高達(dá)900V的...KIA9N90場效應(yīng)管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的電流承受能力和高達(dá)900V的電壓額定值；RDS（開啟）僅為1.12Ω，在VGS=10 V時表現(xiàn)出色；具有低柵極電荷，典型值...
10N80E參數(shù),10n80參數(shù)引腳圖 漏極電流（ID）：10A 漏極和源極電壓（VDSS）：...10N80E參數(shù),10n80參數(shù)引腳圖 漏極電流（ID）：10A 漏極和源極電壓（VDSS）：800V 漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.85Ω 耗散功率（PD）：42W 封裝：TO-220...
