KIA7N65H是一款高性能場(chǎng)效應(yīng)管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿...KIA7N65H是一款高性能場(chǎng)效應(yīng)管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿電壓高達(dá)650V，導(dǎo)通電阻僅為1.2Ω，在10V的柵極電壓下能夠提供穩(wěn)定的性能；能夠替代...
KCX3008A場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)...KCX3008A場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有極低的RDS（開(kāi)啟）值，典型值為4.5 mΩ@Vgs=10V，表現(xiàn)出優(yōu)秀的柵極電荷與RDS...
6n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流5.5A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；...6n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流5.5A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；具有低柵極電荷，典型值為16nC，KIA6N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高...
KIA4365A場(chǎng)效應(yīng)管是一款高性能的電子器件，漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，R...KIA4365A場(chǎng)效應(yīng)管是一款高性能的電子器件，漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）典型值為2.0Ω，在VGS為10V，ID為2A時(shí)；這款場(chǎng)效應(yīng)管采用了快速切換技術(shù)，經(jīng)...
4n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（開(kāi)）=2.5? @ VGS=10V；?...4n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（開(kāi)）=2.5? @ VGS=10V；??4n65?場(chǎng)效應(yīng)管還具有?低柵極電荷，典型值為16nC，高堅(jiān)固性，快速切換，經(jīng)過(guò)100%...
KNG3404D場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流80A，漏源擊穿電壓為40V，具有出色的性能指標(biāo)；RDS（...KNG3404D場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流80A，漏源擊穿電壓為40V，具有出色的性能指標(biāo)；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功耗和提升效率；還具有...
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