7n80場效應管參數,7n80c場效應管參數代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-19
KIA7N80場效應管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩定性，7n80漏極電流7A，漏源擊穿電壓800V，RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，柵極電荷低，僅為27nC，快速切換，操作高效，還具備高堅固性，經過100%雪崩測試，改進的DV/DT功能，進一步提升了性能表現。
KIA7N80場效應管是一款非常值得信賴的電子元件，大大提升了電路的性能和穩定性，為電子設備提供穩定可靠的支持，適用于開關電源和LED驅動等領域，7N80封裝形式：TO-220、TO-220F，可代換仙童等品牌型號。
漏源電壓：800V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：7.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：1V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：1300 PF
輸出電容：120 PF
上升時間：100 ns
KIA7N80場效應管是使用先進的平面條紋DMOS技術生產的。這項先進的技術經過專門定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關模式電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
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