?5610場效應管,5610參數管腳圖,KNX5610A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-28
KNX5610A是最高性能的溝道N溝道MOSFETS，具有極高的單元密度，為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。KNX5610A符合RoHS和綠色產品要求。
KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優異的導通特性；超低柵極電荷，減小開關損耗；出色的Cdv/dt效應設計，可靠性高，在各種工作條件下都能穩定地工作；適用于高頻負載點同步降壓變換器、DC-DC電力系統聯網、負載開關等應用場景，是電子器件領域中的一款高性能元件。
漏源電壓：100V
漏極電流：7A
漏源通態電阻(RDS(on))：98mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：14A
最大功耗：22.7W
輸入電容：1535PF
輸出電容：60PF
總柵極電荷：26.2nC
開通延遲時間：4.2nS
關斷延遲時間：35.6nS
上升時間：8.2ns
下降時間：9.6ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>