40n120參數及代換,變頻器MOS管KSZ040N120A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-26
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數特性，RDS（ON）僅為40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃條件下，在高電壓下能夠擁有較低的導通電阻，同時表現出優異的高速開關性能。40n120具有雪崩耐量，可靠性高，適用于軌道交通、變頻器、充電樁等領域。
KSZ040N120A的設計考慮了平行連接和簡單驅動的便利性，在實際工程中易于應用和控制，符合無鹵素，符合RoHS標準，高電壓承受能力，低電阻特性以及穩定可靠的工作表現，能夠在各種應用、環境中高效穩定運行。
漏源電壓：1200V
漏極電流：60A
漏源通態電阻(RDS(on))：40mΩ
柵源電壓：-5/+18V
脈沖漏電流：100A
雪崩能量單脈沖：934MJ
最大功耗：375W
輸入電容：3110PF
輸出電容：185PF
總柵極電荷：148nC
開通延遲時間：23nS
關斷延遲時間：39nS
上升時間：47ns
下降時間：53ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>