當Gate的電壓是一個負值時，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時候的NMOS管...當Gate的電壓是一個負值時，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時候的NMOS管工作在積累區，形成了以Gate和空穴為極板，氧化層為介質的電容。
為了穩定性，我們一般會在MOS管的柵極加個下拉電阻，在上電的時候把柵極拉低，...為了穩定性，我們一般會在MOS管的柵極加個下拉電阻，在上電的時候把柵極拉低，不讓MOS管導通。不過，這個下拉電阻阻值的選擇是很關鍵的。
NMOS管內部結構圖如下，導電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結，在Ugs...NMOS管內部結構圖如下，導電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結，在Ugs=0時，漏極和源極之間無電流（PN結擊穿情況等不考慮）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當的正電壓電平以打開器件，因此燈負載要么“打開”，...柵極輸入電壓VGS被帶到適當的正電壓電平以打開器件，因此燈負載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
對于像mos管這樣的半導體器件，要充當理想的開關，它必須具有以下特性：在 ON ...對于像mos管這樣的半導體器件，要充當理想的開關，它必須具有以下特性：在 ON 狀態下，它可以承載的電流量不應有任何限制。
MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致...MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致氧化層厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流...
