MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-...MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導體（電容）做柵極；
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開...FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開FET，電子就流動，關(guān)上閥門，電子就不流動。 漏極（Drain），電子流出FET；電子是負...
IO進行控制：高電平轉(zhuǎn)動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導...IO進行控制：高電平轉(zhuǎn)動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導通，電機能量來源于VCC輸入，足以滿足電機工作。
直流充電樁一般由通信模塊、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開關(guān)...直流充電樁一般由通信模塊、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開關(guān)電源模塊中最核心的部分，是實現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件。...
上圖是一個利用三極管D882搭建的電磁閥開關(guān)電路，P25是一個24V驅(qū)動的電磁閥 ，...上圖是一個利用三極管D882搭建的電磁閥開關(guān)電路，P25是一個24V驅(qū)動的電磁閥 ，此電磁閥驅(qū)動功率為9W，由此可知當三極管做開關(guān)電路時，集電極所需電流Ic=9/24=0.37...
門控開關(guān)電路中可分為三個部分：一是有電容降壓，再進行半波整流濾波的電源部分...門控開關(guān)電路中可分為三個部分：一是有電容降壓，再進行半波整流濾波的電源部分，輸出的直流電壓給CD4013和其他器件供電；
