使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)可以采用許多不同的電路配置。很多時(shí)候，由于高的峰值電流、...使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)可以采用許多不同的電路配置。很多時(shí)候，由于高的峰值電流、驅(qū)動(dòng)電壓快的上升 / 下降時(shí)間以及電路板上長走線引起的電感，需要考慮額外的鉗位電...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成，電芯和保護(hù)板PCM（動(dòng)力電池一般稱為電池管理系統(tǒng)BMS）...鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成，電芯和保護(hù)板PCM（動(dòng)力電池一般稱為電池管理系統(tǒng)BMS），電芯相當(dāng)于鋰電池的心臟，管理系統(tǒng)相當(dāng)于鋰電池的大腦。電芯主要由正極材料、負(fù)極...
首先根據(jù)波形的振蕩頻率來計(jì)算電路中總的寄生電容值 ( C)和寄生電感值 ( L) ，...首先根據(jù)波形的振蕩頻率來計(jì)算電路中總的寄生電容值 ( C)和寄生電感值 ( L) ，然后再計(jì)算出 RC吸收電路的電阻值 ( RSN) 和電容值 ( CSN) ，RC吸收電路原理如圖
SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無需并聯(lián)均流控制等顯...SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢。隨著 SiC MOSFET 的發(fā)展和成熟，變流產(chǎn)品向著高頻、高功率密度、高可靠性的...
SiC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺...SiC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺的持續(xù)時(shí)間使驅(qū)動(dòng)脈沖前后沿足夠陡峭，尤其在多管并聯(lián)的工況下;
