由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個...由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個MOS管都采用獨立的驅(qū)動電路。
下圖對于散熱器熱阻計算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅...下圖對于散熱器熱阻計算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱物質(zhì)是為了讓熱量更高效的從功率MOSFET傳導(dǎo)到散熱器，從而最大效率的給功率...
通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電...通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電壓一個相位差的特性的負(fù)載為感性(如負(fù)載為電動機(jī);變壓器;)。
上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動繼電器的電路原理圖，這兩個電路中都把繼電器...上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動繼電器的電路原理圖，這兩個電路中都把繼電器接在了集電極上。因為三極管驅(qū)動繼電器時需要工作在截止和飽和狀態(tài)，如果把繼電器接...
正常輸入無過壓：穩(wěn)壓二極管D3截止，使得VCC_BAT通過R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極，...正常輸入無過壓：穩(wěn)壓二極管D3截止，使得VCC_BAT通過R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極，而Q2的射極也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動簡單的特點，利用其米勒效應(yīng)，在電路設(shè)計中可以設(shè)計...MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動簡單的特點，利用其米勒效應(yīng)，在電路設(shè)計中可以設(shè)計電源緩啟動電路（通常情況下，在正電源中用PMOS，在負(fù)電源中使用NMOS），可以實現(xiàn)防...
