P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況...P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高，有較...
SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更...SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密...
中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電...中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電路的放大倍數(shù)很大，即使選擇L很小依然滿足放大要求。而且這樣一來可以盡可能的減小...
通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電...通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電壓會(huì)導(dǎo)通MOSFET。在最小柵極電壓的最高點(diǎn)和最大柵極電壓的最低點(diǎn)之間的電壓可能讓M...
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電...如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
高溫反偏測試主要用于驗(yàn)證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)...高溫反偏測試主要用于驗(yàn)證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
