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8N60制造商 8N60MOS管價格 8N60MOS管批發/采購-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-01-14 

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8N60 MOS管參數

kia8n60是一種高電壓MOSFET和設計有更好的特性,如快速開關時間,低門電荷,低通態電阻,并具有較高的堅固雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關電源,PWM電機,控制器,高效率的DC至DC轉換器和橋電路。

系列名稱:MOSFET
溝道:N溝道
耗散功率(pd):147

漏源反向電壓(Vds):600

柵源反向電壓(Vgs):30

漏極電流(連續)(id):7.5

靜態漏源電阻R DS(ON),Yyp:0.98

總功耗(Tc):25℃

熱阻(RthCS):05

熱阻結溫(RthJC):0.85

通態電阻(Rds),Typ:0.98

上升時間(tr):VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高結溫(Tj),℃:150

8N60(7.5A,600V)

產品編號

KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF

產品工藝

8N60該產品具有較低的導通電阻,優越的開關性能很高的雪崩、擊穿耐量

特征

1.超低柵極電荷(典型的29nc

2.快速切換的能力

3.雪崩能量測試

4.提升的dtdt能力

適用范圍

該產品適用于高速開關電源,PWM電機控制,高效率的DCDC轉換器和橋電路。

封裝形式

TO-220TO-220F等

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KIA原廠家

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8N60

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