1N60H mos管現貨 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下載-KIA mos管
信息來源：本站 日期：2018-03-24
KIA1N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低柵極電荷（典型的5.0nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA1N60H
工作方式：1A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續：1.0A
脈沖漏極電流：4.0A
雪崩電流：2.8A
雪崩能量：33mJ
耗散功率：28W
熱電阻：50℃/V
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數：6.6V/℃
柵極閾值電壓：2.2V
輸入電容：120PF
輸出電容：20PF
上升時間：21ns
封裝形式：TO-92、251、252
|
|
KIA1N60H |
|
產品編號 |
KIA1N60H 1A/600V |
|
產品特征 |
1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低柵極電荷（典型的5.0nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
|
適用范圍 |
適用于高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關，轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。 |
|
封裝形式 |
TO-92、251、252 |
|
PDF文件 |
|
|
LOGO |
|
|
廠家 |
KIA（可易亞） |
|
網址 |
|
|
PDF總頁數 |
總3頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
<ul id="ou8ay"></ul>