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4N65現貨供應商 KIA4N65 4A/600V PDF下載 4N65參數資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA4N65參數

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖器件主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。


KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力


產品型號:KIA4N65

工作方式:4A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:3.0A

脈沖漏極電流:12A

雪崩能量:210mJ

耗散功率:58W

熱電阻:110℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.65V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:560 PF

輸出電容:55 PF

上升時間:40 ns

封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F


KIA4N65(4A 650V
產品編號 KIA4N65/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產品特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

適用范圍 器件主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 m.52yitang.com
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