放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學(xué)一下微變等效電路法...放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學(xué)一下微變等效電路法：放大電路放大的是信號(hào)的變化量，當(dāng)信號(hào)變化范圍很小的時(shí)候（微變），可以認(rèn)為三極...
900V9AMOS管 KNX4890A產(chǎn)品特征 專(zhuān)用的新平面工藝技術(shù) RDS(ON),typ.=1.2Ω@VG...900V9AMOS管 KNX4890A產(chǎn)品特征 專(zhuān)用的新平面工藝技術(shù) RDS(ON),typ.=1.2Ω@VGS=10V 低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗 快恢復(fù)體二極管
微變等效電路是當(dāng)電路中某一部分用其等效電路代替之后，未被代替的部分電壓和電...微變等效電路是當(dāng)電路中某一部分用其等效電路代替之后，未被代替的部分電壓和電流均不發(fā)生變化，也就是說(shuō)電壓和電流不變的部分只是等效部分以外的電路，下面我們來(lái)...
場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,它相比于傳統(tǒng)的晶體管有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)使其在高頻電...場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,它相比于傳統(tǒng)的晶體管有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)使其在高頻電路中的應(yīng)用尤期多,本文就其在高頻電路的應(yīng)用中的突出性能進(jìn)行闡述并且以音響領(lǐng)域?yàn)槔?..
這種功率MOSFET是用KIAIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制作的，這種先進(jìn)的技術(shù)特別適...這種功率MOSFET是用KIAIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制作的，這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換流模式下經(jīng)受高能重脈沖。這...
這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合...這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。這...
