KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的...
保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、專有新溝槽技術(shù) 3、低門電荷減小開(kāi)關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低導(dǎo)通電阻 快速切換 100%雪崩試驗(yàn) 重復(fù)雪崩最高允許Tjmax 無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
NMOSFET特性退化
飽和區(qū):
通常Vg
器件退化的含義： 也就是隨著應(yīng)力時(shí)間的推移，輸出電流下降，同時(shí)閾值電壓增加...器件退化的含義： 也就是隨著應(yīng)力時(shí)間的推移，輸出電流下降，同時(shí)閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡(jiǎn)單講，柵電壓時(shí)漏電壓一半的時(shí)候，襯底電流最大，同時(shí)漏端...
MOS管30V40A KNX9103A參數(shù)資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進(jìn)的溝...MOS管30V40A KNX9103A參數(shù)資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)。 超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì) 完全表征的雪崩電壓和電流
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