此功率MOSFET是使用KIA的先進平面條紋DMOS技術生產的。這先進的技術已經專門針...此功率MOSFET是使用KIA的先進平面條紋DMOS技術生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態(tài)電阻，提供了優(yōu)越的開關性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。...
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠...KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼...
KIA3302A采用先進的溝道技術，以提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至...KIA3302A采用先進的溝道技術，以提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至2.5V。該器件適用于各種應用場合。
三極管直流電壓放大器檢測方法 在驅動控制電路中，繼電器驅動電路、直流電動機...三極管直流電壓放大器檢測方法 在驅動控制電路中，繼電器驅動電路、直流電動機驅動電路都是直流電壓放大電路。下圖為三極管直流電壓放大器電路。
萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流...萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流電壓是故障檢修中經常釆用的檢測手段。選擇直流電壓擋的適當量程，給電路通電，黑表...
MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應，主要是小尺寸下的高電場（包...MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應，主要是小尺寸下的高電場（包括垂直和水平電場）引起的問題，包括遷移率退化，熱載流子以及 DIBL 等問題。
