此功率MOSFET是使用KIA的先進平面條紋DMOS技術生產的。這先進的技術已經專門針...此功率MOSFET是使用KIA的先進平面條紋DMOS技術生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻，提供了優越的開關性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。...
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠...KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼...
KIA3302A采用先進的溝道技術，以提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至...KIA3302A采用先進的溝道技術，以提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至2.5V。該器件適用于各種應用場合。
三極管直流電壓放大器檢測方法 在驅動控制電路中，繼電器驅動電路、直流電動機...三極管直流電壓放大器檢測方法 在驅動控制電路中，繼電器驅動電路、直流電動機驅動電路都是直流電壓放大電路。下圖為三極管直流電壓放大器電路。
萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流...萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流電壓是故障檢修中經常釆用的檢測手段。選擇直流電壓擋的適當量程，給電路通電，黑表...
MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應，主要是小尺寸下的高電場（包...MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應，主要是小尺寸下的高電場（包括垂直和水平電場）引起的問題，包括遷移率退化，熱載流子以及 DIBL 等問題。
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