MOS管?KIA10N80H 800V10A規格參數 國產品牌 價格優勢-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-22
這種功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。這一先進技術特別適合于最小化狀態上的電阻,提供優越的開關性能,并在雪崩和換相模式下經受高能量脈沖。這些器件適用于高效開關電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
RDS(on)=0.85Ω @ VGS=10V
低柵電荷(典型63 nC)
高強度
快速開關能力
雪崩能量指定
改進dv/dt能力
ESD改進能力
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