P30v mos管,30V PMOS管,低壓MOS場效應管,國產廠家-KIA MOS管

P30v mos管,30V PMOS管參數

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P30v MOS,KIA3409參數引腳圖

KIA3409采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（導通）和低柵極電荷。該器件適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規范）。

VDS(V)=-30V

ID=-2.6A

RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)

RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)

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P30v MOS,KPE4403A參數引腳圖

漏極電流 (ID) ：-5.0A

漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-30V

柵極電荷（Qg）：6.5 nC

功耗 (PDM) ：1.5W

RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 V

KPE4403A特點：

綠色設備可用

超低柵極電荷

出色的Cdv/dt效應下降

先進的高單元密度溝槽技術

KPE4403A是高單元密度溝槽P溝道MOSFET，可為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的RDSON和柵極電荷。KNE4403A符合RoHS和綠色產品要求。

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KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

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