4665參數(shù),4665場(chǎng)效應(yīng)管,KNX4665B中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-11
KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，漏源擊穿電壓高達(dá)650V，漏極電流7A，能夠承受較大的電壓壓力、良好的導(dǎo)電性能，RDS（ON）的典型值為1.1Ω，在VGS=10V時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻，具有較高的工作效率，還能夠?qū)崿F(xiàn)低柵極電荷最小化，有效降低開關(guān)損耗，提升整體性能。
KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、還配備了快速恢復(fù)體二極管，可以有效減少反向恢復(fù)時(shí)間，提高開關(guān)速度，降低損耗，特別適用于需要頻繁開關(guān)的場(chǎng)合，如開關(guān)電源和LED驅(qū)動(dòng)，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠保障。KNX4665B場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式：TO-252、TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：7A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.1Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：75/42W
輸入電容：1048PF
輸出電容：98PF
總柵極電荷：24nC
開通延遲時(shí)間：12nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：34nS
上升時(shí)間：12ns
下降時(shí)間：14ns
KNX4665B溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等。
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