sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者...sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統或...
快恢復二極管（FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管...快恢復二極管（FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中。
KCT2213A場效應管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進的SGT技術，極低導...KCT2213A場效應管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 2.9mΩ，低柵極電荷（151nC），最小化開關損耗，性能卓越；改進的...
穩壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結反向擊穿狀態，呈現極小的...穩壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結反向擊穿狀態，呈現極小的電阻，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，起穩壓作用。
單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結晶體管...單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結晶體管雖然有三個電極，但在結構上只有一個PN結，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側的兩端...
KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器...KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器件新技術，低導通電阻和低傳導損耗，性能優越；?極低導通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超...
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