單結晶體管(ujt)的工作原理,結構特性詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-26
單結晶體管是一種只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，又稱基極二極管。
單結晶體管的結構
單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結晶體管雖然有三個電極，但在結構上只有一個PN結，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側的兩端，各引出一個電極，分別稱第一基極b1和 第二基極b2。在硅片的另一側較靠近b2處，用擴散法摻入P型雜質，形成一個PN結，再引出一個電極，稱發射極e。單結晶體管的內部結構、等效電路、圖形符號如圖所示。
存在于兩個基極b1和b2之間的電阻是N型硅片本身的電阻，稱為體電阻，由單結晶體管的等效電路可見，兩基極間的電阻Rb1b2=Rb1+Rb2, 其體阻值一般在（5～10）KΩ之間。
國產單結晶體管的型號，主要有BT31、BT32、BT33等系列產品，其中B表示半導體器件，T表示特種晶體管，第三位數3表示三個電極，最后一位數表示功耗100mW、200mW、300mW等等。
單結晶體管的特性
單結晶體管的伏安特性，是指在單結晶體管的e、b1極之間加一個正電壓Ue，在b2、b1極之間加一個正電壓Ubb，其發射極電流Ie與發射極電壓Ue的關系曲線。
單結晶體管的Ie—Ue伏安特性曲線如圖所示。
由單結晶體管的伏安特性曲線可見：
（1）當發射極所加的電壓Ue＜Up(峰點電壓，約6～8V)時，單結晶體管的Ie電流為很小的反向漏電電流，即曲線的AP段。此時，單結晶體管是處于截止狀態的，其e、b1極之間的等效阻值非常大，e、b1極之間相當于一個斷開的開關。
（2）當發射極所加的電壓Ue越過Up峰點電壓后，單結晶體管開始導通，隨著導通電流Ie的增加，其e極對地的電壓Ue是不斷下降的，即曲線的PV段。在曲線的PV段，其動態的電阻值是負值的，這一區間又叫負阻區。負阻區是一個過渡區，時間很短，隨著Ie電流的增加，電壓Ue將很快達到谷點電壓Uv。
（3）當Ie增加到谷點電壓所對應的電流，即谷點電流Iv之后，Ue將隨Ie的增加而增加，即曲線的VB段，其動態電阻是正值的，這一區間又稱為飽和區。單結晶體管工作在飽和區時，其e、b1極之間的等效阻值非常小，e、b1極之間相當于一個閉合的開關。
綜上所述，單結晶體管的e、b1極之間，相當于一個受發射極電壓Ue控制的開關，故可以用來作振蕩元件。
（1）基極間電阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定義為發射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為（5~10）KΩ，其數值隨溫度上升而增大，不同型號的管阻值有較大的差異。
（2）分壓比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子內部結構決定的常數，一般為0.3--0.85。
（3）eb1間反向電壓Vcb1。在b2開路時，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
（4）反向電流Ieo。在b1開路時，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。
（5）發射極飽和壓降Veo。在最大發射極額定電流時，eb1間的壓降。
（6）峰點電流Ip：單結晶體管剛開始導通時，發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流。
1、外觀判斷法
從外觀上看，引腳與外殼相通的電極，一般是b1極；與凸耳相靠近的電極一般為e極。
2、萬用表判斷法
1）發射極e的判斷
單結晶體管，也叫雙基極二極管，有e、b1、b2三個電極，其三個管腳的極性可用萬用表的R×1K擋來進行判斷。測任意兩個管腳的正向電阻和反向電阻，直到測得的正反向電阻都基本不變時（一般約10KΩ～30 KΩ，不同型號的管阻值有差異），這兩個管腳就是兩個基極，剩下的另一個管腳就是發射極e。
2）b1、b2電極的判斷
在判斷出發射極e的基礎上，萬用表量程置于R×1K擋，黑表筆發射極，紅表筆分別接另外兩個極，萬用表兩次均會導通，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是單結晶體管的b1極。
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