在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態到導通...在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態到導通狀態所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對于NMOS管，當VGS大于Vth時，管子開始導通。...
場效應管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的...場效應管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據三極管的原理開發出的新一代放...
KNP2908C場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進技術制造，極...KNP2908C場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，低柵極電荷（典型值182nC)，最大限度地減少導通損耗，...
ao3400場效應管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝...ao3400場效應管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關損...
1、esd靜電防護標準是GB21148-2020。這是我國關于靜電防護的主要標準之一，它規...1、esd靜電防護標準是GB21148-2020。這是我國關于靜電防護的主要標準之一，它規定了靜電防護的相關要求和測試方法該標準強調了對防靜電電阻值的要求。 2、防靜電...
KNM2808A場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RD...KNM2808A場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RDS（ON）和優秀柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，最小化開關損耗；高輸入阻抗、低功...
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