sip封裝工藝,sip封裝有哪幾種-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-27
系統(tǒng)級(jí)封裝SiP（Single In-line Package）是一種單列直插式集成電路封裝技術(shù)，其引腳從封裝單側(cè)引出并呈直線排列，裝配至印刷電路板時(shí)呈側(cè)立狀態(tài)。該封裝標(biāo)準(zhǔn)引腳中心距為2.54mm，引腳數(shù)量范圍通常在2至23個(gè)之間，多為定制化產(chǎn)品。
sip封裝是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。
SiP封裝類型
從目前業(yè)界SiP的設(shè)計(jì)類型和結(jié)構(gòu)區(qū)分，SiP可分為三類：2D SiP、 堆疊SiP和3D SiP。
2D SiP封裝：是在同一個(gè)封裝基板上將芯片一個(gè)挨一個(gè)的排列以二維的模式封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)。
堆疊SiP封裝：是在一個(gè)封裝中采用物理的方法將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊整合起來進(jìn)行封裝。
3D SiP封裝：是在2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個(gè)羅芯片、封裝芯片、多芯片甚至圓片進(jìn)行疊層互聯(lián)，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)也稱作疊層型3D封裝。
sip封裝核心工藝包括晶圓減薄、芯片貼裝、互連形成和封裝體構(gòu)建等步驟。
主要工藝步驟
1.晶圓準(zhǔn)備與減薄
原始晶圓厚度約700pm，需研磨至200pm以下，疊層存儲(chǔ)芯片需減薄至50pm。3·流程包括貼膜保護(hù)、背面研磨和清洗，防止芯片損傷。
2.芯片貼裝(Die Attach)
使用銀膠（環(huán)氧樹脂+銀粉）粘接芯片與基板，需控制溫度（120°℃）和壓力以確保牢固性。
關(guān)鍵設(shè)備包括固晶機(jī)、Pick up head等。
3.互連技術(shù)
引線鍵合(Wire Bonding)：傳統(tǒng)金/銅線連接方式。
倒裝焊（Flip Chip)：通過凸點(diǎn)直接連接芯片與基板，密度更高。
4.封裝體構(gòu)建。
包括錫膏印刷、回流焊、清洗及最終包封保護(hù)。
SiP封裝制程根據(jù)芯片與基板的連接方式，可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種主要類型。
引線鍵合封裝工藝流程：
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
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