當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，M...當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導通。 當IO是低電平時，三極管Q1關閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=...
對于NPN來說，使Ube
控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術生產，極...控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術生產，極低導通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能；快速...
熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有...熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強弱。熱導率越好的物體，其熱阻通常越低。
SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應二...SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應二極管SOD-123封裝。 sod323長度比sod123短1.0毫米，寬度短0.3毫米，高度短0.1毫米。...
KIA28N50HH場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0....KIA28N50HH場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進的d...
