600v場效應管,600v22a,?to220f封裝,KLF60R170B參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-10
KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結合了高壓耐壓與低導通電阻的特性，低導通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大限度地減少導電損耗，提高系統效率。具備超快切換，適用于高頻開關，100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，抗沖擊能力強，結電容低，穩定可靠；廣泛應用于開關電源等領域，封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：22A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：57A
單脈沖雪崩能量：985MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：31nC
輸入電容：1250PF
輸出電容：3.5PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時間：13nS
關斷延遲時間：55nS
上升時間：9ns
下降時間：10ns
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