雙向DC-DC變換器通常由高頻變壓器、IGBT/MOSFET等開關器件及儲能元件（如電感、...雙向DC-DC變換器通常由高頻變壓器、IGBT/MOSFET等開關器件及儲能元件（如電感、電容）組成。雙向DC-DC變換電路通過電力電子器件實現直流電的雙向傳輸與轉換，通過...
KND2906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術制造，極...KND2906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有...
逆變電路：逆變器的核心部分，由半導體開關元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋...逆變電路：逆變器的核心部分，由半導體開關元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋或半橋電路構成。通過高頻開關控制（PWM脈寬調制），將升壓后的直流電轉換為交流脈...
DC-DC有多種拓撲結構，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三...DC-DC有多種拓撲結構，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三大基本拓撲結構。升壓降壓電路（Boost和Buck電路）通過電感的儲能與釋放、開關元件...
KNB2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，高密度...KNB2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高...
N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢...N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢。 P溝道增強型MOSFET：當VGS低于負閾值電壓（-VTH）時，ID開始增加，曲線呈下降趨...
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