在很多情況下，電源IC的技術規格書中給出的是在標準的應用電路中測試得到的效率...在很多情況下，電源IC的技術規格書中給出的是在標準的應用電路中測試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規格書中的效率曲線的條件相同...
首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時您讓高側面積更大（旨在降低其電阻），則低側的面積必減小，而其電阻增加。
Turn OFF 尖峰根據封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴大采用的用于驅動電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開關元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當開關頻率變高時，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設計方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
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