當我們不檢測電池包電壓時，我們希望電池包的電消耗很慢。所以，我們讓對應單片...當我們不檢測電池包電壓時，我們希望電池包的電消耗很慢。所以，我們讓對應單片機 IO 口輸出低電平時，此時NMOS管不能導通，表現為一個很大的電阻，最大程度減少電...
此處是低端電流取樣檢測，根據運放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=...此處是低端電流取樣檢測，根據運放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我們算V+=mos流過電阻電流*R2 ，整...
假設上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）...假設上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）=1V。因為虛短：V+ = V-。 （式1）
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠...KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼...
S1端輸出低電平，MOS管導通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S...S1端輸出低電平，MOS管導通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S2端輸出高電平。 S1端輸出高阻，MOS管截至，S2端輸出高電平 。
1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，B...1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，BAT2的容量比BAT1大，VIN_5V為外部電源，VOUT為輸出，給系統供電。 3、VOUT會從優先...
