MOSFET應(yīng)用-緩沖電路種類(lèi)介紹-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-01-29
緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動(dòng)部件組合的電路，和包含半導(dǎo)體元器件的主動(dòng)電路。
為了更好地發(fā)揮其的效果，必須將這些緩沖電路盡可能布局在在開(kāi)關(guān)元件的附近。
a. CSNB緩沖電路零件數(shù)目少，但必須連接到橋式結(jié)構(gòu)的上部和下部之間，因此缺點(diǎn)是線路會(huì)變得較長(zhǎng)，因此通常不是用分立元器件，而是多用2合1 的分立元器件模塊。
b. RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。
因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率變高時(shí)，RSNB 所消耗的電力可能會(huì)變?yōu)閿?shù)W，而CSNB 很難很大，所以抑制尖峰的效果也會(huì)變得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收能力有限，因此抑制效果也會(huì)受限。
c. RCD 緩沖電路的RSNB 消耗的電力與(b)相同，但因?yàn)橹唤?jīng)由二極管吸收尖峰，比起(b)的吸收效果高、更實(shí)用。
但是，需要注意使用的二極管的恢復(fù)特性，因?yàn)槲占夥鍟r(shí)的電流變化大，需要極力減少緩沖電路的配線電感。另外，如果將RSNB 與CSNB 并聯(lián)，在動(dòng)作上也是相同的。
d. 非放電型RCD 緩沖電路的RSNB 只消耗CSNB 所吸收的電壓尖峰能量，CSNB 所積蓄的能量不會(huì)每次開(kāi)關(guān)都充分釋放出來(lái)。
因此，即使開(kāi)關(guān)頻率加快，RSNB 的消耗功率也不會(huì)變得很大，可以將CSNB 增大，大幅提高電路的抑制效果。但樣線路布局變得復(fù)雜，如果不是4 層以上的基板，布線會(huì)極為困難。
如上所述，這里介紹的緩沖電路各有長(zhǎng)短，需要根據(jù)電源電路結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)換功率容量選擇最佳的緩沖電路。
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