對于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON ...對于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON 狀態(tài)下，它可以承載的電流量不應(yīng)有任何限制。
MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致...MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流...
在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：“transit...在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：“transit frequency”(fT)截止頻率
當(dāng)通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電...當(dāng)通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電壓×電機(jī)電流。然而實際上，有時功耗可能會大于這個計算值。
柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個延遲時間為開關(guān)時間。開關(guān)時間如表1...柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個延遲時間為開關(guān)時間。開關(guān)時間如表1所示種類，一般而言，規(guī)格書上記載td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧...在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。其中，Cgs、Cgd的容...
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