KIA半導(dǎo)體近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產(chǎn)品。相比 TO-263-6L，TOLL占...KIA半導(dǎo)體近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產(chǎn)品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，高度減小50％，節(jié)省了寶貴的 PCB 應(yīng)用空間，而且熱阻更小從而散熱效...
截止區(qū)：iDS為0，Vo恒為Vs。 飽和區(qū)：對(duì)應(yīng)電流源模型，Vo隨Vin快速變化。 線...截止區(qū)：iDS為0，Vo恒為Vs。 飽和區(qū)：對(duì)應(yīng)電流源模型，Vo隨Vin快速變化。 線性區(qū)：對(duì)應(yīng)電阻模型，Vo隨Vin緩慢變化。
圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路...圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該電路具有很少的關(guān)鍵寄生參數(shù) Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生參數(shù)對(duì) SiC MOSFET 的特...
方案1可以設(shè)置R1，C1，R2，C2的數(shù)值以完成不同的延時(shí)，從而可以改變上電順序，...方案1可以設(shè)置R1，C1，R2，C2的數(shù)值以完成不同的延時(shí)，從而可以改變上電順序，但是有缺點(diǎn)，因?yàn)樵诠╇娀芈分写?lián)了電阻，如果是給功放等大功率的器件供電，會(huì)產(chǎn)生...
穩(wěn)壓二極管有一個(gè)特性，比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V，也就是說，當(dāng)其左...穩(wěn)壓二極管有一個(gè)特性，比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V，也就是說，當(dāng)其左端的電壓沒有達(dá)到5.6V的時(shí)候，其是不導(dǎo)通的，當(dāng)電壓達(dá)到5.6V，這個(gè)穩(wěn)壓管才會(huì)導(dǎo)通，...
延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開始（上電時(shí)）較大的電路而...延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開始（上電時(shí)）較大的電路而言。
