電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)...電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)C2的電壓達(dá)到D2的擊穿電壓時(shí)，尖電流脈沖加到BG2的柵極，由于變壓器的耦合作用，電...
電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加...電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。
當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管...當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管工作在積累區(qū)，形成了以Gate和空穴為極板，氧化層為介質(zhì)的電容。
為了穩(wěn)定性，我們一般會(huì)在MOS管的柵極加個(gè)下拉電阻，在上電的時(shí)候把柵極拉低，...為了穩(wěn)定性，我們一般會(huì)在MOS管的柵極加個(gè)下拉電阻，在上電的時(shí)候把柵極拉低，不讓MOS管導(dǎo)通。不過，這個(gè)下拉電阻阻值的選擇是很關(guān)鍵的。
NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs...NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極和源極之間無電流（PN結(jié)擊穿情況等不考慮）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，...柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
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