導(dǎo)通功率損耗主要來源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來...導(dǎo)通功率損耗主要來源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來看，漏極電流IDS和溫度系數(shù)K不變的前提下，降低通態(tài)損耗的方式/只有降低通態(tài)電阻Rds...
放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)...放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)參數(shù)直接影響實(shí)際電路中的小信號(hào)放大倍數(shù)。
一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)...一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖圖1，這是一個(gè)MOSFET放大器的最基本電路。
產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來加以控制。使反型層產(chǎn)生或...產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來加以控制。使反型層產(chǎn)生或者消失時(shí)的柵極電壓就是器件的閾值電壓VT。對(duì)于增強(qiáng)型器件，該閾值電壓稱為開啟電壓...
跨導(dǎo)gm（Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)...跨導(dǎo)gm（Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)；而跨導(dǎo)則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。
1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。...1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。符號(hào)中三橫線表示三溝道，相聯(lián)的兩條對(duì)應(yīng)一端必為S源極；
