微變等效電路法：在小信號條件下，把非線性的晶體管用線性模型來代替，用線性電...微變等效電路法：在小信號條件下，把非線性的晶體管用線性模型來代替，用線性電路的分析方法來計算基本放大電路。
舉個例子，比如輸入的柵源信號是Vgs+VGS，分析小信號時，只看Vgs，這樣在電路中...舉個例子，比如輸入的柵源信號是Vgs+VGS，分析小信號時，只看Vgs，這樣在電路中其作用產生的Ids為IDS關于VGS（直流信號）求偏導后乘以Vgs，這里的IDS關于VGS求偏導...
在飽和區時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數,即為一個壓控電流源，電流值為，且...在飽和區時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數,即為一個壓控電流源，電流值為，且由于柵源之間的低頻阻抗很高，因此可得到一個理想的MOS管的小信號模型，如圖所示。...
放大器是電子產品的組成部分，用于放大低幅度信號。放大器在增強信號方面起著非...放大器是電子產品的組成部分，用于放大低幅度信號。放大器在增強信號方面起著非常重要的作用，特別是在音頻和電力電子方面。
場效應晶體管(MOSFET)和雙極結型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然...場效應晶體管(MOSFET)和雙極結型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然MOSFET和BJT都是晶體管，但它們的工作方式不同，表現出不同的行為，因此它們的使用方...
MOSFET放大器簡單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID...MOSFET放大器簡單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID)、柵源電壓 (VGS) 以及柵極、源極和漏極的位置通過字母“G”、“S”和“ D”。
