防反接保護電路：VCC端、GND端串入二極管-KIA MOS管

由于肖特基二極管具有較小的前向電壓，因此VCC端串入肖特基二極管，也是一種防反接的方法。

VCC端串入肖特基二極管防反接電路圖

防反接 VCC GND 二極管

根據(jù)原理圖可以看出該種防反接方法較為簡單。

肖特基二極管參數(shù)的確定

確定肖特基二極管的參數(shù)，需要從以下幾個方面考慮：

（1）肖特基二極管的正向電流，應(yīng)大于芯片驅(qū)動負載時的工作電流；

（2）反接時的反向電壓問題；

（3）ISO脈沖的問題，如正向（50V）和反向（-150V）脈沖；

（4）負載短路情況時，經(jīng)過肖特基二極管電流問題；

（5）工作溫度。

優(yōu)缺點

優(yōu)點：簡單，實現(xiàn)方便，正向電壓低，適用于所有類型的負載。

缺點：成本略高，正向功率較大。

另外，需要注意的是，電源反接時，負載電流不會通過芯片內(nèi)部功率MOSFET的體二極管，因此，也就不用考慮該方面的功率吸收問題。

在GND端也可以通過串入二極管實現(xiàn)防反接保護。

GND端串入二極管防反接電路圖

防反接 VCC GND 二極管

二極管的參數(shù)，主要考慮兩種情況：

（1）正向峰值電流

對于ISO7637-2：2004(E)標準來說，當VCC端出現(xiàn)正向脈沖（50V）時，二極管的正向峰值電流應(yīng)大于：

[(VPULSE+VBAT)–VCLAMP–VDIODE]/2

例如：

(50V+13.5V–46V–0.7)/2=8.4A

其中，2Ω為產(chǎn)生正向脈沖電壓時的內(nèi)阻。根據(jù)上述計算，可以得知，二極管的正向峰值電流應(yīng)滿足8.4A@50usforISO7637-2:2004(E)

(2)反向峰值電壓

當VCC端出現(xiàn)負向脈沖時，二極管反向峰值電壓應(yīng)滿足：

-100VforISO7637-2:2004(E),-150VforISO7637-2:2011(E)，

根據(jù)上述分析可以，在GND端串入二極管，不能鉗位VCC端的負向脈沖，也就是說該負向脈沖會影響到MCUIO和HSD的控制管腳，因此，此間需要串入限流電阻。

優(yōu)點：簡單，實現(xiàn)方便，成本低。

缺點：僅適用于阻性負載。

對于該種防反接保護電路僅適用于阻性負載，是因為當驅(qū)動感性負載時，在關(guān)閉負載時，OUTPUT管腳會出現(xiàn)負電壓，該電壓會拉低GND電壓（有可能呈現(xiàn)負壓），則HSD的控制引腳對GND的電壓可能大于開啟電壓，導(dǎo)致負載重新打開。因此該種方法，理論上只適用于阻性負載，而對應(yīng)于全類型負載的防反接保護電路，可以對此方法進行改進。

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