mos管電容計算公式,mos管電容計算詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-23
1、直流電容的計算：MOS電容的容量可以通過使用兩個公式來計算，即C=εoA/d，其中C為電容值，εo為真空介電常數，A為極板的面積，d為極板之間的距離。
2、交流電容的計算：MOS電容的交流電容可以使用另外一個公式來計算，即Xc=1/（2πfC），其中Xc是電容的因數，f為頻率，C為電容值。
1.總寄生電容計算
2.Cox計算
例如：柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值
（1）介電常數：
它是表示絕緣能力特性的一個系數，符號為ε，單位為F/m（法/米）
（2）相對介電常數：
某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值，稱為該電介質的相對介電常數，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數，其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數為εr=3.9，所以SIO2的介電常數ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
（3）Cox計算
Cox是介質的介電常數ε與tox的比值，tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工藝為例：
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介電常數ε=3.9×8.854E-12F/m，
Coxn=ε/toxn=3fF/um2；
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
3.CGB、CGS和CGD電容
在飽和區，電路中的最高電容是 CGS。晶體管柵極的輸入電容等于CGG≈CGS，與柵漏電容 CGD 相比，CGS 比CGD大了一個2/3(WLCox)。在截止區時，CGB=WLCox，在飽和、線性區為0。
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