mos管電容計算公式,mos管電容計算詳解-KIA MOS管

mos管電容計算

1、直流電容的計算：MOS電容的容量可以通過使用兩個公式來計算，即C=εoA/d，其中C為電容值，εo為真空介電常數(shù)，A為極板的面積，d為極板之間的距離。

2、交流電容的計算：MOS電容的交流電容可以使用另外一個公式來計算，即Xc=1/（2πfC），其中Xc是電容的因數(shù)，f為頻率，C為電容值。

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1.總寄生電容計算

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2.Cox計算

例如：柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數(shù)得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值

（1）介電常數(shù)：

它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)，符號為ε，單位為F/m（法/米）

（2）相對介電常數(shù)：

某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質(zhì)的相對介電常數(shù)，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數(shù)，其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數(shù)為εr=3.9，所以SIO2的介電常數(shù)ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m

（3）Cox計算

Cox是介質(zhì)的介電常數(shù)ε與tox的比值，tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工藝為例：

在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介電常數(shù)ε=3.9×8.854E-12F/m，

Coxn=ε/toxn=3fF/um2；

Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2

3.CGB、CGS和CGD電容

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