040N10,120a100v參數,040N10場效應管中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-16
KCT040N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），最大限度地減少導電損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，開關速度快，性能穩定可靠，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；封裝形式：TOLL，適用于高功率密度場景。
詳細參數：
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
導通電阻： 3.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：256MJ
功率耗散：227W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：90nC
輸入電容：6772PF
輸出電容：952PF
反向傳輸電容：33PF
開通延遲時間：28nS
關斷延遲時間：48nS
上升時間：32ns
下降時間：27ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>