CMOS集成電路概念：溝道寬長比-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-11-29
本文介紹的數字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個基本概念。
溝道（channel）是指場效應晶體管中源區和漏區之間的一薄半導體層。是由于外加電場引起的沿長度方向的導電層。
如下圖所示：
MOS管工作在非飽區時，I-V特性曲線公式近似為：
因此，溝道寬長比對MOS管來說是非常重要的一個參數指標。寬長比越大，MOS管的 飽和電流(Idsat)就越大，性能就越好。
在數字后端中，溝道的寬長比也體現在單元庫上。當溝道長度L相同時，不同的溝道寬度會造成cell的不同高度，我們通常說的7 Track, 9 Track即是代表不同的溝道寬度，溝道寬度越大，速度也越快，功耗也越大；
當溝道寬度W相同時，不同的溝道長度L也會造成cell的速度不同，我們通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表不同的溝道長度。L越小，速度也越快，功耗也大。
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