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CMOS集成電路概念:溝道寬長比-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-11-29 

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CMOS集成電路概念:溝道寬長比-KIA MOS管


溝道寬長比介紹

本文介紹的數字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個基本概念。


溝道(channel)是指場效應晶體管中源區和漏區之間的一薄半導體層。是由于外加電場引起的沿長度方向的導電層。


如下圖所示:

溝道寬長比


MOS管工作在非飽區時,I-V特性曲線公式近似為:

溝道寬長比


因此,溝道寬長比對MOS管來說是非常重要的一個參數指標。寬長比越大,MOS管的 飽和電流(Idsat)就越大,性能就越好。


在數字后端中,溝道的寬長比也體現在單元庫上。當溝道長度L相同時,不同的溝道寬度會造成cell的不同高度,我們通常說的7 Track, 9 Track即是代表不同的溝道寬度,溝道寬度越大,速度也越快,功耗也越大;


當溝道寬度W相同時,不同的溝道長度L也會造成cell的速度不同,我們通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表不同的溝道長度。L越小,速度也越快,功耗也大。



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