詳細(xì)分析低邊MOS管驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-11-10
MOS需要工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，希望盡可能快地關(guān)閉，盡可能快地打開(kāi)。因?yàn)樵诖蜷_(kāi)或關(guān)閉的過(guò)程中，MOS管上會(huì)有功耗。雖然MOS是電壓驅(qū)動(dòng)，但柵源之間有較大的結(jié)電容。
在打開(kāi)時(shí)，需要大的充電電流，截止時(shí)需要大的放電電流。因此需要有低阻抗的充電和放電通路。
方框中的電路構(gòu)成一個(gè)低邊MOS管驅(qū)動(dòng)器，輸入端由Q3及外圍使用共基極接構(gòu)成電平轉(zhuǎn)換電路，從⑤處接受控制輸入，控制輸入可以由MCU產(chǎn)生。將輸入的3V數(shù)字量轉(zhuǎn)換成輸出12V數(shù)字量。
由Q1 Q2屬于互補(bǔ)的射極輸出器，不存在Q1 Q2同時(shí)導(dǎo)通短路電源的問(wèn)題。為防止意外，在輸出端串電阻是保險(xiǎn)的做法。
MOS從截止到導(dǎo)通需要的時(shí)間比從導(dǎo)通到截止時(shí)間要長(zhǎng)一些。減小R1可以縮短截止到導(dǎo)通的時(shí)間。但并不是無(wú)限制的，因?yàn)轵?qū)動(dòng)源的拉電流能力有限。
當(dāng)控制電壓由低變高時(shí)，柵極電壓開(kāi)始時(shí)有一個(gè)3V的臺(tái)階，分析認(rèn)為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過(guò)BC結(jié)饋電引起的。
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