電機控制器MOS驅(qū)動圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-11-10
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V\3.3V，IO的電流輸出能力在20MA以下，不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅(qū)動器時，通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動器，我們稱之為“預驅(qū)”。
在設計汽車風機、水泵、油泵等電機驅(qū)動控制器時，使用車規(guī)MCU+車規(guī)預驅(qū)+車規(guī)N溝道功率MOSFET，可以適配不同功率、各種通信方式和各種驅(qū)動方式。
上圖，三相直流無刷電機（包括BLDC和PMSM）功率級驅(qū)動電路使用6個N溝道功率MOS構成三相全橋，分為三個連接到電源正極（VBus）的高邊MOS和三個連接到電源負極的低邊MOS。
控制器通過控制六個MOS的通斷，完成換相，使電機按照預期轉(zhuǎn)動。電機在運轉(zhuǎn)過程中可能會遇到堵轉(zhuǎn)而導致過流，因此MOS驅(qū)動電路需要具有保護功能，以防止燒壞控制器或電機。
對于單個NMOS來說，在開通時，需要提供瞬間大電流向MOS內(nèi)的寄生電容充電，柵源電壓（VGS）達到一定閾值后，MOS才能完全開通。在MOS開通后，還需要維持合適的柵源電壓（VGS），才可以保持開通狀態(tài)。
對于低邊MOS，其源極（S）接到電源負極，柵源電壓容易滿足，驅(qū)動較簡單。
對于高邊MOS，其源極（S）接到電機相線，其電壓是不確定的，如果需要開通，需要通過自舉電路提供柵極電壓，驅(qū)動較復雜。
一般情況下，MOS的導通內(nèi)阻都如上圖所示，隨著VGS的增大而降低，但VGS大于10V之后，下降曲線變得平緩。為了達到最小的導通電阻(RDSON)，VGS的取值通常為10~15V。
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